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什么是IC设计？

　  IC设计是将系统、逻辑与性能的设计要求转化为具体的物理版图的过程，也是一个把产品从抽象的过程一步步具体化、直至最终物理实现的过程。为了完成这一过程，人们研究出了层次化和结构化的设计方法：层次化的设计方法能使复杂的系统简化，并能在不同的设计层次及时发现错误并加以纠正；结构化的设计方法是把复杂抽象的系统划分成一些可操作的模块，允许多个设计者同时设计，而且某些子模块的资源可以共享。

1、 表面清洗
2、 初次氧化
3、 CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉积一层 Si3N4 (Hot CVD 或 LPCVD) 。
（1）常压 CVD (Normal Pressure CVD)
（2）低压 CVD (Low Pressure CVD)
（3）热 CVD (Hot CVD)/(thermal CVD)
（4）电浆增强  CVD (Plasma Enhanced CVD)
（5）MOCVD (Metal Organic  CVD) & 分子磊晶成长 (Molecular Beam Epitaxy)
（6）外延生长法 (LPE)
4、 涂敷光刻胶  
（1）光刻胶的涂敷
（2）预烘  (pre bake)
（3）曝光
（4）显影
（5）后烘  (post bake)
（6）腐蚀  (etching)
（7）光刻胶的去除
5、 此处用干法氧化法将氮化硅去除  
6 、离子布植将硼离子  (B+3)  透过 SiO2 膜注入衬底，形成 P 型阱
7、 去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理  
8、 用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷  (P+5)  离子，形成 N 型阱  
9、 退火处理，然后用 HF 去除 SiO2 层  
10、干法氧化法生成一层 SiO2 层，然后 LPCVD 沉积一层氮化硅  
11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层  
12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的 SiO2 层，形成 PN 之间的隔离区 
13、热磷酸去除氮化硅，然后用 HF 溶液去除栅隔离层位置的 SiO2 ，并重新生成品质更好的 SiO2 薄膜 ,  作为栅极氧化层。
14、LPCVD  沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成 SiO2 保护层。  
15、表面涂敷光阻，去除 P 阱区的光阻，注入砷  (As)  离子，形成 NMOS 的源漏极。用同样的方法，在 N 阱区，注入 B 离子形成 PMOS 的源漏极。  
16、利用 PECVD  沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。  
17、沉积掺杂硼磷的氧化层  
18、?镀第一层金属  
（1）  薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不同，厚度通常小于 1um 。
（2）  真空蒸发法（ Evaporation Deposition ）
（3）  溅镀（ Sputtering Deposition ）
19、光刻技术定出 VIA 孔洞，沉积第二层金属，并刻蚀出连线结构。然后，用 PECVD 法氧化层和氮化硅保护层。 20、光刻和离子刻蚀，定出 PAD 位置  
21、最后进行退火处理，以保证整个 Chip 的完整和连线的连接性

什么是FPGA

    FPGA是英文Field Programmable Gate Array的缩写，即现场可编程门阵列，它是在PAL、GAL、PLD等可编程器件的基础上进一步发展的产物。它是作为专用集成电路（ASIC）领域中的一种半定制电路而出现的，既解决了定制电路的不足，又克服了原有可编程器件门电路数有限的缺点。